工厂交货时间

14 Weeks

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

700mA 500mA

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchFET®

已出版

2016

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

Reach合规守则

unknown

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

Not Qualified

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率 - 最大

340mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

390m Ω @ 700mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

38pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.8nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.39Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.34W

场效应管特性

Logic Level Gate

环境耗散-最大值

0.29W

RoHS状态

ROHS3 Compliant