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SI6926ADQ-T1-GE3
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 30mohm @ 4.5V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
质量
157.991892mg
晶体管元件材料
SILICON
4.1A
2
46 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
30MOhm
最大功率耗散
830mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SI6926
引脚数量
8
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
830mW
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 4.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.5nC @ 4.5V
上升时间
16ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
4.5A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.1A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1mm
长度
3mm
宽度
4.4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI6926ADQ-T1-GE3
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
20V
4.5 A
4.1A
1 V
8 V
830 mW
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Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
20V
5.2 A
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12 V
1 W
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8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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4.9 A
4.9A (Ta)
-
8 V
870 mW
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Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
20V
5.3 A
5.3A
800 mV
12 V
1 W
-
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
20V
4.5 A
4.5A
1 V
12 V
600 mW
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