DMN2041LSD-13
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
2
22.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.16W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMN2041LSD
引脚数量
8
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.16W
接通延迟时间
4.69 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
28m Ω @ 6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
550pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15.6nC @ 10V
上升时间
13.19ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
6.43 ns
连续放电电流(ID)
7.63A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.6A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.5mm
长度
4.95mm
宽度
3.95mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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DMN2041LSD-13 PDF数据手册
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- PCN 其他 :