DMN5L06VK-7
SOT-563, SOT-666
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
19 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
3.005049mg
晶体管元件材料
SILICON
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
2Ohm
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
250mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
280mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMN5L06VK
引脚数量
6
资历状况
Not Qualified
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
250mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2 Ω @ 50mA, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 25V
连续放电电流(ID)
280mA
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
50V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
高度
600μm
长度
1.6mm
宽度
1.2mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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DMN5L06VK-7 PDF数据手册
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- 环境信息 :
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