DMN3033LSD-13
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
850.995985mg
晶体管元件材料
SILICON
2
63 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
22mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
2W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 6.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
725pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 10V
上升时间
7ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
30 ns
连续放电电流(ID)
6.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.5mm
长度
5.3mm
宽度
4.1mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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DMN3033LSD-13 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN 其他 :
- Rohs 声明 :