![DMN65D8LDW-7](https://static.esinoelec.com/200dimg/diodesincorporated-zamp001h6tc-8639.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
2
12 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
6Ohm
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
300mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMN65D8LDW
引脚数量
6
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
300mW
接通延迟时间
3.3 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6 Ω @ 115mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
22pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.87nC @ 10V
上升时间
3.2ns
漏源电压 (Vdss)
60V
下降时间(典型值)
6.3 ns
连续放电电流(ID)
180mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.15A
漏源击穿电压
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower DissipationRoHS Status
-
DMN65D8LDW-7
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
60V
180 mA
20 V
300 mW
300 mW
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
-
115 mA
20 V
200 mW
200 mW
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
50V
130 mA
20 V
300 mW
300 mW
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
30V
220 mA
20 V
300 mW
300 mW
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
30V
1.5 A
20 V
-
-
ROHS3 Compliant
DMN65D8LDW-7 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN 其他 :