![SI4426DY-T1-E3](https://static.esinoelec.com/200dimg/siliconlabs-si4834a20gu-3790.jpg)
SI4426DY-T1-E3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
6.5A Ta
2.5V 4.5V
1
1.5W Ta
90 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2016
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
25mOhm
端子表面处理
MATTE TIN
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.5W
接通延迟时间
40 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 8.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 4.5V
上升时间
40ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
6.5A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
高度
1.55mm
长度
5mm
宽度
4mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxRadiation Hardening
-
SI4426DY-T1-E3
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
6.5 A
6.5A (Ta)
12 V
1.5 W
1.5W (Ta)
No
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7.63 A
-
12 V
1.16 W
-
No
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-6.7 A
6.7A (Ta)
12 V
2.5 W
2.5W (Ta)
No
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7 A
-
12 V
2 W
-
No
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8 A
8A
12 V
3.1 W
-
No
SI4426DY-T1-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :