![SI7850DP-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si7461dpt1e3-3017.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
S17-0173_SINGLE
6.2A Ta
4.5V 10V
1
1.8W Ta
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
22mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.8W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 10.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
6.2A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40A
最大结点温度(Tj)
150°C
关断时间-最大值(toff)
74ns
接通时间-最大值(ton)
40ns
高度
1.12mm
长度
4.9mm
宽度
5.89mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI7850DP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
6.2 A
6.2A (Ta)
3 V
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8 A
8A (Ta)
2.5 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
4.2 A
7A (Ta)
3 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8.5 A
6A (Ta)
3 V
20 V
1.7 W
1.7W (Ta)
SI7850DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :