你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

SQJ479EP-T1_GE3

型号:

SQJ479EP-T1_GE3

封装:

PowerPAK® SO-8

数据表:

SQJ479EP

描述:

MOSFET P-CH 80V 32A POWERPAKSO-8

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    PowerPAK® SO-8

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 32A Tc

  • 4.5V 10V

  • 1

  • 68W Tc

  • 50 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G4

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 通道数量

    1

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    68W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    15 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    33m Ω @ 10A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4500pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    150nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    80V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    -32A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.033Ohm

  • 漏源击穿电压

    -80V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    80 mJ

  • 最大结点温度(Tj)

    175°C

  • 高度

    1.267mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0 类似产品

SQJ479EP-T1_GE3 PDF数据手册