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NTZD3154NT1G

型号:

NTZD3154NT1G

封装:

SOT-563, SOT-666

数据表:

NTZD3154N

描述:

ON SEMICONDUCTOR - NTZD3154NT1G - Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-563, Surface Mount

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 16 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    400MOhm

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    20V

  • 最大功率耗散

    250mW

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    540mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    NTZD3154N

  • 引脚数量

    6

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    250mW

  • 接通延迟时间

    6 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    550m Ω @ 540mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    150pF @ 16V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    2.5nC @ 4.5V

  • 上升时间

    4ns

  • 下降时间(典型值)

    4 ns

  • 连续放电电流(ID)

    540mA

  • 阈值电压

    1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    6V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.54A

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • 高度

    600μm

  • 长度

    1.7mm

  • 宽度

    1.3mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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