![NTZD3155CT1G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-nup5120x6t1g-0617.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
触点镀层
Tin
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
2
540mA 430mA
35 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
500mOhm
最大功率耗散
250mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
540mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NTZD3155C
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
250mW
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
550m Ω @ 540mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
150pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.5nC @ 4.5V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
20V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
540mA
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
6V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.54A
漏源击穿电压
-20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
长度
1.7mm
高度
600μm
宽度
1.3mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower Dissipation
-
NTZD3155CT1G
SOT-563, SOT-666
20V
540 mA
540mA, 430mA
1 V
6 V
250 mW
250 mW
-
SOT-563, SOT-666
-
540 mA
-
1 V
6 V
250 mW
250 mW
-
SOT-563, SOT-666
20V
540 mA
-
-
8 V
250 mW
250 mW
-
SOT-563, SOT-666
20V
540 mA
-
-
6 V
250 mW
250 mW
-
SOT-563, SOT-666
20V
540 mA
-
-
6 V
250 mW
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NTZD3155CT1G PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN封装 :
- 到达声明 :