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FDS4935A

型号:

FDS4935A

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

数据表:

FDS4935A

描述:

ON SEMICONDUCTOR - FDS4935A - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 底架

    Surface Mount

  • 触点镀层

    Tin

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 48 ns

  • 2

  • 已出版

    2002

  • 系列

    PowerTrench®

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    23MOhm

  • 电压 - 额定直流

    -30V

  • 最大功率耗散

    900mW

  • 终端形式

    GULL WING

  • 额定电流

    -7A

  • 电压

    30V

  • 元素配置

    Dual

  • 电流

    7A

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.6W

  • 接通延迟时间

    13 ns

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    23m Ω @ 7A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1233pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    21nC @ 5V

  • 上升时间

    10ns

  • 下降时间(典型值)

    25 ns

  • 连续放电电流(ID)

    7A

  • 阈值电压

    -1.6V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    -30V

  • 双电源电压

    -30V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 栅源电压

    -1.6 V

  • 宽度

    4mm

  • 长度

    5mm

  • 高度

    1.5mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 辐射硬化

    No

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 无铅

    Lead Free

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