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SI4834CDY-T1-E3

型号:

SI4834CDY-T1-E3

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

数据表:

SI4834CDY

描述:

MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    8-SO

  • 8A

  • 2

  • 18 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2009

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终端

    SMD/SMT

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    2W

  • 基本部件号

    SI4834

  • 功率耗散

    2W

  • 接通延迟时间

    17 ns

  • 功率 - 最大

    2.9W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    20mOhm @ 8A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    950pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    25nC @ 10V

  • 上升时间

    12ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 下降时间(典型值)

    10 ns

  • 连续放电电流(ID)

    8A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 双电源电压

    30V

  • 输入电容

    950pF

  • 场效应管特性

    Standard

  • 漏源电阻

    20mOhm

  • 最大rds

    20 mΩ

  • 栅源电压

    3 V

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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