工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

Surface Mount

底架

Surface Mount

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

115 ns

2

8A

系列

HEXFET®

已出版

2007

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

21MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

2W

终端形式

GULL WING

基本部件号

IRF9362PBF

元素配置

Dual

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2W

接通延迟时间

5.2 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

21m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 10V

上升时间

5.9ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

53 ns

连续放电电流(ID)

-8A

阈值电压

-1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

64A

雪崩能量等级（Eas）

94 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate

栅源电压

-1.8 V

宽度

3.9878mm

长度

4.9784mm

高度

1.4986mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

No

达到SVHC

No SVHC

无铅

Lead Free