![NTZD3154NT2G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-nup5120x6t1g-0617.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
2
16 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
250mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NTZD3154N
引脚数量
6
资历状况
Not Qualified
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
250mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
550m Ω @ 540mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
150pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.5nC @ 4.5V
上升时间
4ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
540mA
栅极至源极电压(Vgs)
6V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.54A
漏极-源极导通最大电阻
0.55Ohm
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
反馈上限-最大值 (Crss)
20 pF
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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6 V
250 mW
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NTZD3154NT2G PDF数据手册
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