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DMN61D8LVT-7
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
晶体管元件材料
SILICON
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
820mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率 - 最大
820mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.8 Ω @ 150mA, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
12.9pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.74nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
60V
连续放电电流(ID)
630mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.63A
漏极-源极导通最大电阻
2.4Ohm
DS 击穿电压-最小值
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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DMN61D8LVT-7
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DMN61D8LVT-7 PDF数据手册
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