![FDS6990AS](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-fm93c86am8-8028.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
187mg
晶体管元件材料
SILICON
7.5A
2
24 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®, SyncFET™
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
22mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
900mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
资历状况
Not Qualified
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 7.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
550pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 5V
上升时间
8ns
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
7.5mA
阈值电压
1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.5A
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
1.7 V
高度
1.75mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower Dissipation
-
FDS6990AS
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7.5 mA
7.5A
1.7 V
20 V
900 mW
2 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
9.7 A
-
1.8 V
20 V
2 W
2 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8.6 A
6.3A, 8.6A
1.9 V
20 V
2 W
2 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8.5 A
8.5A (Ta)
1.7 V
20 V
-
2.5 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8.4 A
8.4A (Ta)
1.9 V
20 V
-
2.5 W
FDS6990AS PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :