FDS6982AS
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
ON SEMICONDUCTOR - FDS6982AS - Dual MOSFET, Dual N Channel, 8.6 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.4 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
187mg
晶体管元件材料
SILICON
6.3A 8.6A
2
24 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®, SyncFET™
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
28MOhm
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
2W
终端形式
GULL WING
额定电流
8.6A
通道数量
2
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
12 ns
功率 - 最大
900mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
28m Ω @ 6.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
610pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 10V
上升时间
7ns
下降时间（典型值）
3 ns
连续放电电流(ID)
8.6A
阈值电压
1.9V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
恢复时间
19 ns
最大结点温度（Tj）
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
1.4 V
关断时间-最大值（toff)
64ns
接通时间-最大值(ton)
34ns
高度
1.75mm
长度
5mm
宽度
3.99mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDS6982AS
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7.5A
1.7 V
20 V
900 mW
2 W
FDS6982AS PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :