SI1016X-T1-GE3
SOT-563, SOT-666
N/P Channel 20 V 0.41/0.7 Ohm 250 mW SMT Power Mosfet - SC-89-6
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
32.006612mg
晶体管元件材料
SILICON
485mA 370mA
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2016
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
700mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
LOW THRESHOLD
最大功率耗散
250mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SI1016
引脚数量
6
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
250mW
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
700m Ω @ 600mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.75nC @ 4.5V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
485mA
栅极至源极电压(Vgs)
6V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.485A
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.2mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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