DMG1023UV-7
SOT-563, SOT-666
DMG1023UV Series 20 V 0.75 Ohm Dual P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-563
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
3.005049mg
晶体管元件材料
SILICON
2
28.4 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
750mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
最大功率耗散
530mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
基本部件号
DMG1023UV
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
530mW
接通延迟时间
5.1 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
750m Ω @ 430mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
59.76pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.62nC @ 4.5V
上升时间
8.1ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
20.7 ns
连续放电电流(ID)
1.03A
阈值电压
-1V
栅极至源极电压(Vgs)
6V
漏源击穿电压
-20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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DMG1023UV-7 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :