![DMG1024UV-7](https://static.esinoelec.com/200dimg/diodesincorporated-d1213a04v7-7850.jpg)
DMG1024UV-7
SOT-563, SOT-666
Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
3.005049mg
晶体管元件材料
SILICON
2
26.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
10Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
LOW THRESHOLD
最大功率耗散
530mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMG1024UV
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
530mW
接通延迟时间
5.1 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
450m Ω @ 600mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
60.67pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.74nC @ 4.5V
上升时间
7.4ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
12.3 ns
连续放电电流(ID)
1.38A
栅极至源极电压(Vgs)
6V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.39A
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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DMG1024UV-7 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
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