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FDC6327C
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ON SEMICONDUCTOR - FDC6327C - Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 2.7 A, 0.069 ohm, SuperSOT, Surface Mount
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
2.7A 1.9A
2
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2000
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
80MOhm
端子表面处理
TIN (SN)
最大功率耗散
960mW
终端形式
GULL WING
额定电流
2.7A
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
960mW
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 2.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
325pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.5nC @ 4.5V
上升时间
14ns
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
1.9A
阈值电压
900mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
900 mV
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDC6327C
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SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
3 A
3A, 2.2A
900 mV
12 V
700 mW
960 mW
FDC6327C PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :