![FDC6420C](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-fan5622sx-7877.jpg)
FDC6420C
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ON SEMICONDUCTOR - FDC6420C - Dual MOSFET, N and P Channel, 3 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 900 mV
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
3A 2.2A
2
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
70MOhm
端子表面处理
TIN (SN)
最大功率耗散
700mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
3A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
960mW
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
70m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
324pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.6nC @ 4.5V
上升时间
12ns
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
3A
阈值电压
900mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏源击穿电压
20V
双电源电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
900 mV
高度
900μm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDC6420C
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SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
3 A
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SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
2.5 A
-
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20 V
500 mW
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FDC6420C PDF数据手册
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 数据表 :