![FDC6305N](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-fan5622sx-7877.jpg)
FDC6305N
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ON SEMICONDUCTOR - FDC6305N - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SUPER SOT-6
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
2
11 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
1999
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
80mOhm
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
960mW
终端形式
GULL WING
额定电流
2.7A
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
900mW
接通延迟时间
5 ns
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 2.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
310pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5nC @ 4.5V
上升时间
8.5ns
下降时间(典型值)
8.5 ns
连续放电电流(ID)
2.7A
阈值电压
900mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
双电源电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Standard
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower DissipationRadiation Hardening
-
FDC6305N
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
2.7 A
900 mV
8 V
960 mW
900 mW
No
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
1.9 A
900 mV
8 V
960 mW
960 mW
No
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
3 A
900 mV
12 V
960 mW
960 mW
No
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
3 A
900 mV
12 V
700 mW
960 mW
No
FDC6305N PDF数据手册
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 数据表 :