FDD6612A
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
9.5A Ta 30A Tc
4.5V 10V
1
2.8W Ta 36W Tc
24 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
20MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
电压 - 额定直流
30V
终端形式
GULL WING
额定电流
30A
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
36W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 9.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
660pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.4nC @ 5V
上升时间
5ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
4 ns
连续放电电流(ID)
30A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9.5A
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
雪崩能量等级（Eas）
90 mJ
栅源电压
2 V
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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50 A
12A (Ta), 50A (Tc)
-
20 V
3.2 W
3.2W (Ta), 56W (Tc)
FDD6612A PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :