SUM90N10-8M2P-E3
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
1.437803g
晶体管元件材料
SILICON
90A Tc
10V
1
3.75W Ta 300W Tc
34 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
8.2mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
300W
接通延迟时间
23 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.2m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6290pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
150nC @ 10V
上升时间
17ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
9 ns
连续放电电流(ID)
90A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240A
最大结点温度（Tj）
175°C
高度
4.826mm
长度
10.41mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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20 V
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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214W (Tc)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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80A (Tc)
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125 W
125W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
33.5 mA
33.5A (Tc)
4 V
25 V
3.75 W
3.75W (Ta), 155W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
110 A
110A (Tc)
4 V
20 V
3.75 W
3.75W (Ta), 375W (Tc)
SUM90N10-8M2P-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :