IPB042N10N3GATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
100A Tc
6V 10V
1
214W Tc
48 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
214W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
27 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.2m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 150μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8410pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
117nC @ 10V
上升时间
59ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
137A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
漏极-源极导通最大电阻
0.0042Ohm
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
最大结点温度(Tj)
175°C
高度
4.7mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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-
IPB042N10N3GATMA1
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
137 A
100A (Tc)
20 V
214 W
214W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
80A (Tc)
20 V
125 W
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
110 A
110A (Tc)
20 V
3.75 W
3.75W (Ta), 375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
100 A
100A (Tc)
20 V
214 W
214W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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