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SI2342DS-T1-GE3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
6A Tc
1.2V 4.5V
1
2.5W Tc
65 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2015
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.3W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
17m Ω @ 7.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1070pF @ 4V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15.8nC @ 4.5V
上升时间
14ns
Vgs(最大值)
±5V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
6A
阈值电压
800mV
栅极至源极电压(Vgs)
5V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏源击穿电压
8V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.12mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI2342DS-T1-GE3
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6 A
6A (Tc)
800 mV
5 V
1.3 W
2.5W (Tc)
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-5.3 A
6A (Tc)
-350 mV
5 V
1.25 W
2.5W (Tc)
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4.3 A
4.3A (Ta)
-1.4 V
10 V
1.3 W
800mW (Ta)
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4 A
3.4A (Ta)
800 mV
12 V
1.4 W
950mW (Ta)
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6.5 A
6.5A (Ta)
500 mV
12 V
810 mW
1.3W (Ta)
SI2342DS-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :