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DMP3099L-7

型号:

DMP3099L-7

封装:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

数据表:

DMP3099L

描述:

MOSFET P-Ch ENH FET -30V 65mOhm -10V -3.8A

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    23 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    7.994566mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 3.8A Ta

  • 4.5V 10V

  • 1

  • 1.08W Ta

  • 31 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 引脚数量

    3

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.08W

  • 接通延迟时间

    4.8 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    65m Ω @ 3.8A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    563pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    5.2nC @ 4.5V

  • 上升时间

    5ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    15 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -3.8A

  • 阈值电压

    -2.1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.065Ohm

  • 漏源击穿电压

    -30V

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 高度

    1.1mm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    1.4mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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