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FDS86140
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
9 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
130mg
晶体管元件材料
SILICON
11.2A Ta
6V 10V
1
2.5W Ta 5W Tc
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2011
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
5W
接通延迟时间
13.7 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.8m Ω @ 11.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2580pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
41nC @ 10V
上升时间
5.6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.8 ns
连续放电电流(ID)
11.2A
阈值电压
2.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
栅源电压
2.7 V
反馈上限-最大值 (Crss)
30 pF
高度
1.5mm
长度
4mm
宽度
5mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDS86140
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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60 A
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6.25W (Ta), 104W (Tc)
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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3.4 A
3.4A (Ta)
2.9 V
20 V
5 W
5W (Ta)
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58.8 A
58.8A (Tc)
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20 V
5 W
5W (Ta), 56.8W (Tc)
FDS86140 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :