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SI4190ADY-T1-GE3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 100V 8.8mOhm@10V 18.4A N-Ch MV T-FET
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
18.4A Tc
4.5V 10V
34 ns
3W Ta 6W Tc
1
已出版
2013
系列
TrenchFET®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
8.8MOhm
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.8m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1970pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
67nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
13A
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
1.5 V
宽度
4mm
长度
5mm
高度
1.75mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
达到SVHC
No SVHC
无铅
Lead Free
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SI4190ADY-T1-GE3
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60 A
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20 V
6.25 W
6.25W (Ta), 104W (Tc)
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7.3 A
7.3A (Ta)
4 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
SI4190ADY-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :