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SI4410BDY-T1-GE3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 30V 10A 2.5W 13.5mohm @ 10V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
186.993455mg
晶体管元件材料
SILICON
7.5A Ta
10V
1
1.4W Ta
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.4W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13.5m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 5V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
10A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.5A
漏源击穿电压
30V
高度
1.55mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI4410BDY-T1-GE3
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
10 A
7.5A (Ta)
1 V
20 V
1.4 W
1.4W (Ta)
-
Surface Mount, Through Hole
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8.5 A
8.5A (Ta)
1 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
9 A
9A (Ta)
1.2 V
20 V
1.47 W
1.47W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
6 A
6A, 4.3A
1 V
20 V
2.78 W
-
SI4410BDY-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
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