![FDG6332C](https://static.esinoelec.com/200dimg/analogdevicesinc-hmc311sc70e-7173.jpg)
FDG6332C
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ON SEMICONDUCTOR - FDG6332C - Dual MOSFET, N and P Channel, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
700mA 600mA
2
6 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
300MOhm
最大功率耗散
300mW
终端形式
GULL WING
额定电流
700mA
电压
20V
元素配置
Dual
电流
7A
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
300mW
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
300m Ω @ 700mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
113pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.5nC @ 4.5V
上升时间
14ns
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
700mA
阈值电压
1.1V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.1mm
长度
2mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDG6332C
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
700 mA
700mA, 600mA
1.1 V
12 V
300 mW
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6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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700mA, 500mA
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Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
700 mA
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1.2 V
12 V
300 mW
300 mW
FDG6332C PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :