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SI3476DV-T1-GE3
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
In a Pack of 25, N-Channel MOSFET, 4.6 A, 80 V, 6-Pin SOT-23 Vishay SI3476DV-T1-GE3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
4.6A Tc
4.5V 10V
1
2W Ta 3.6W Tc
12 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
26 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
93m Ω @ 3.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
195pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.5nC @ 10V
上升时间
50ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
4.6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.093Ohm
漏源击穿电压
80V
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxPackagingOperating Temperature
-
SI3476DV-T1-GE3
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
4.6 A
4.6A (Tc)
20 V
2W (Ta), 3.6W (Tc)
Tape & Reel (TR)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
3.2 A
4.1A (Tc)
20 V
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Tape & Reel (TR)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
2.8 A
3.8A (Tc)
20 V
3.6W (Tc)
Tape & Reel (TR)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
4.5 A
4.5A (Ta)
20 V
2W (Ta)
Tape & Reel (TR)
-55°C ~ 150°C (TJ)
SI3476DV-T1-GE3 PDF数据手册
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