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SQJ886EP-T1_GE3
PowerPAK® SO-8
VISHAY SILICONIX SQJ886EP-T1-GE3 MOSFET, N-CH, 40V, 60A, PPAKSO8L
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
60A Tc
4.5V 10V
1
55W Tc
29 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
已出版
2015
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
55W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5m Ω @ 15.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2922pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
65nC @ 10V
上升时间
17ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6 ns
连续放电电流(ID)
60A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0045Ohm
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240A
雪崩能量等级(Eas)
64 mJ
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SQJ886EP-T1_GE3
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PowerPAK? SO-8
60A (Tc)
60 A
2 V
20 V
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42A (Tc)
42 A
2 V
20 V
140 W
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
75A (Tc)
75 A
2 V
20 V
140 W
140W (Tc)
SQJ886EP-T1_GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
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