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DMP2200UDW-7

型号:

DMP2200UDW-7

封装:

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

数据表:

DMP2200UDW

描述:

MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 24.4 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2015

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    450mW

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE

  • 接通延迟时间

    9.8 ns

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    260m Ω @ 880mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    184pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    2.1nC @ 4.5V

  • 上升时间

    88ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    45 ns

  • 连续放电电流(ID)

    900mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.9A

  • DS 击穿电压-最小值

    20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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