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NTJD2152PT1

型号:

NTJD2152PT1

封装:

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

数据表:

NTJD2152P-D

描述:

MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    OBSOLETE (Last Updated: 21 hours ago)

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 50 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn80Pb20)

  • 电压 - 额定直流

    -8V

  • 最大功率耗散

    270mW

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 额定电流

    -775mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    NTJD2152P

  • 引脚数量

    6

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    270mW

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    300m Ω @ 570mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    225pF @ 8V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    4nC @ 4.5V

  • 上升时间

    23ns

  • 下降时间(典型值)

    23 ns

  • 连续放电电流(ID)

    775mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.775A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.3Ohm

  • 漏源击穿电压

    -8V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    40 pF

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    Contains Lead

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