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SI1967DH-T1-GE3

型号:

SI1967DH-T1-GE3

封装:

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

数据表:

SI1967DH

描述:

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 质量

    28.009329mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1.3A

  • 2

  • 12 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    490MOhm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    1.25W

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    SI1967

  • 引脚数量

    6

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    740mW

  • 接通延迟时间

    2 ns

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    490m Ω @ 910mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    110pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    4nC @ 8V

  • 上升时间

    27ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    10 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -1A

  • 阈值电压

    -1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1A

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 高度

    1.1mm

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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