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SI1403CDL-T1-GE3

型号:

SI1403CDL-T1-GE3

封装:

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

数据表:

SI1403CDL

描述:

VISHAY - SI1403CDL-T1-GE3 - MOSFET, P-KANAL, 20V, 2.1A, SC-70-6

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 质量

    7.512624mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2.1A Tc

  • 2.5V 4.5V

  • 1

  • 600mW Ta 900mW Tc

  • 30 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 引脚数量

    6

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 通道数量

    1

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    600mW

  • 接通延迟时间

    18 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    140m Ω @ 1.6A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    281pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    8nC @ 4.5V

  • 上升时间

    26ns

  • Vgs(最大值)

    ±12V

  • 下降时间(典型值)

    18 ns

  • 连续放电电流(ID)

    2.1A

  • 阈值电压

    600mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 高度

    900μm

  • 长度

    2.05mm

  • 宽度

    1.25mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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