规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
28.009329mg
晶体管元件材料
SILICON
2
13 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2015
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.4Ohm
最大功率耗散
510mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SI1926
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
300mW
接通延迟时间
6.5 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ω @ 340mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
18.5pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.4nC @ 10V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
60V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
370mA
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.34A
漏源击穿电压
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1mm
长度
2mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower Dissipation
-
SI1926DL-T1-E3
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
60V
370 mA
2.5 V
20 V
510 mW
300 mW
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SOT-563, SOT-666
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305 mA
2.5 V
20 V
250 mW
250 mW
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SOT-563, SOT-666
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2.5 V
20 V
250 mW
250 mW
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6-TSSOP, SC-88, SOT-363
25V
-410 mA
-820 mV
-8 V
300 mW
300 mW
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Surface Mount
SOT-563, SOT-666
30V
480 mA
1 V
20 V
220 mW
220 mW
SI1926DL-T1-E3 PDF数据手册
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