SI1028X-T1-GE3
SOT-563, SOT-666
VISHAY SI1028X-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 480 mA, 30 V, 0.54 ohm, 10 V, 1 V
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
2
9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
220mW
终端形式
FLAT
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
220mW
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
650m Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
16pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
480mA
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower Dissipation
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SI1028X-T1-GE3
Surface Mount
SOT-563, SOT-666
30V
480 mA
1 V
20 V
220 mW
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8 V
300 mW
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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SC-75, SOT-416
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154 mA
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10 V
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300 mW
SI1028X-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
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