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SI1028X-T1-GE3

型号:

SI1028X-T1-GE3

封装:

SOT-563, SOT-666

数据表:

SI1028X-T1-GE3

描述:

VISHAY SI1028X-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 480 mA, 30 V, 0.54 ohm, 10 V, 1 V

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 9 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    220mW

  • 终端形式

    FLAT

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    220mW

  • 接通延迟时间

    8 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    650m Ω @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    16pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    2nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 连续放电电流(ID)

    480mA

  • 阈值电压

    1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • DS 击穿电压-最小值

    30V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 高度

    600μm

  • 长度

    1.7mm

  • 宽度

    1.7mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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