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SI1026X-T1-GE3
SOT-563, SOT-666
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 60V 1.25 ohms @ 10V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
32.006612mg
晶体管元件材料
SILICON
305mA
2
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
3Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
LOW THRESHOLD
最大功率耗散
250mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SI1026
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
250mW
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
30pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.6nC @ 4.5V
连续放电电流(ID)
500mA
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.305A
漏源击穿电压
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.2mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI1026X-T1-GE3
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SOT-563, SOT-666
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SOT-563, SOT-666
-500 mA
190mA
-2 V
20 V
250 mW
250 mW
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