工厂交货时间

14 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

质量

32.006612mg

晶体管元件材料

SILICON

190mA

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchFET®

已出版

2016

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

4Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

LOW THRESHOLD

最大功率耗散

250mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

SI1025

引脚数量

3

元素配置

Dual

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

250mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

23pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.7nC @ 15V

漏源电压 (Vdss)

60V

连续放电电流(ID)

-500mA

阈值电压

-2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.19A

漏源击穿电压

-60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate

高度

600μm

长度

1.7mm

宽度

1.2mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free