工厂交货时间

14 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.437803g

晶体管元件材料

SILICON

55A Tc

4.5V 10V

1

3.75W Ta 125W Tc

80 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchFET®

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

19mOhm

终端形式

GULL WING

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

125W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

115nC @ 10V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

230 ns

连续放电电流(ID)

-5.5A

阈值电压

-1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

55A

漏源击穿电压

-60V

高度

4.83mm

长度

10.41mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free