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首页 / 分立半导体产品 / 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 / FQB27P06TM /
FQB27P06TM

FQB27P06TM

型号:

FQB27P06TM

品牌:

ON Semiconductor

封装:

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

数据表:

FQB27P06

描述:

ON SEMICONDUCTOR - FQB27P06TM - MOSFET Transistor, P Channel, 27 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -4 V

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 引脚数

    3

  • 质量

    1.31247g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 27A Tc

  • 10V

  • 1

  • 3.75W Ta 120W Tc

  • 30 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    QFET®

  • 已出版

    2001

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    70MOhm

  • 电压 - 额定直流

    -60V

  • 终端形式

    GULL WING

  • 额定电流

    -27A

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    3.75W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    18 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    70m Ω @ 13.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1400pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    43nC @ 10V

  • 上升时间

    185ns

  • Vgs（最大值）

    ±25V

  • 下降时间（典型值）

    90 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -27A

  • 阈值电压

    -4V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 漏源击穿电压

    -60V

  • 双电源电压

    60V

  • 雪崩能量等级（Eas）

    560 mJ

  • 高度

    4.83mm

  • 长度

    10.67mm

  • 宽度

    9.65mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
  • FQB27P06TM

    FQB27P06TM

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    -27 A

    27A (Tc)

    -4 V

    25 V

    3.75 W

    3.75W (Ta), 120W (Tc)

  • SPB18P06PGATMA1
    SPB18P06PGATMA1

    Infineon Technologies

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    80 A

    15A (Ta), 80A (Tc)

    4 V

    20 V

    175 W

    175W (Tc)

  • FDB070AN06A0
    FDB070AN06A0

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    -18.7 A

    18.7A (Ta)

    -3 V

    20 V

    81.1 W

    81.1W (Ta)

  • IPB081N06L3GATMA1
    IPB081N06L3GATMA1

    Infineon Technologies

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    50 A

    50A (Tc)

    1.7 V

    20 V

    79 W

    79W (Tc)