你好！请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

购物车
所有分类 首页 品牌专区 询价 关于我们
首页 / 分立半导体产品 / 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 / FDB070AN06A0 /
FDB070AN06A0

FDB070AN06A0

型号:

FDB070AN06A0

品牌:

ON Semiconductor

封装:

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

数据表:

FDB070AN06A0

描述:

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 引脚数

    3

  • 质量

    1.31247g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 15A Ta 80A Tc

  • 10V

  • 1

  • 175W Tc

  • 27 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2003

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    7MOhm

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    60V

  • 终端形式

    GULL WING

  • 额定电流

    80A

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    175W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    12 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7m Ω @ 80A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3000pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    66nC @ 10V

  • 上升时间

    159ns

  • Vgs（最大值）

    ±20V

  • 下降时间（典型值）

    35 ns

  • 连续放电电流(ID)

    80A

  • 阈值电压

    4V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 双电源电压

    60V

  • 栅源电压

    4 V

  • 高度

    4.83mm

  • 长度

    10.67mm

  • 宽度

    11.33mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

0 类似产品

相关型号

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
  • FDB070AN06A0

    FDB070AN06A0

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    80 A

    15A (Ta), 80A (Tc)

    4 V

    20 V

    175 W

    175W (Tc)

  • IPB034N06L3GATMA1
    IPB034N06L3GATMA1

    Infineon Technologies

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    90 A

    90A (Tc)

    3 V

    20 V

    188 W

    188W (Tc)

  • IPB037N06N3GATMA1
    IPB037N06N3GATMA1

    Infineon Technologies

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    90 A

    90A (Tc)

    -

    20 V

    167 W

    167W (Tc)

  • SUM55P06-19L-E3
    SUM55P06-19L-E3

    Vishay Siliconix

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    -5.5 A

    55A (Tc)

    -1 V

    20 V

    125 W

    3.75W (Ta), 125W (Tc)