SPB18P06PGATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
18.7A Ta
10V
1
81.1W Ta
25 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED
电压 - 额定直流
-60V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
-18.6A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
81.1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
130m Ω @ 13.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
860pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 10V
上升时间
5.8ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
-18.7A
阈值电压
-3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
74.8A
最大结点温度(Tj)
175°C
栅源电压
-3 V
高度
4.5mm
长度
10mm
宽度
4.4mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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