IPB057N06NATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
17A Ta 45A Tc
6V 10V
1
3W Ta 83W Tc
20 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
OptiMOS™
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
83W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.7m Ω @ 45A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 36μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2000pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 10V
上升时间
12ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
7 ns
连续放电电流(ID)
45A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
漏极-源极导通最大电阻
0.0057Ohm
漏源击穿电压
60V
雪崩能量等级（Eas）
60 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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IPB057N06NATMA1
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
45 A
17A (Ta), 45A (Tc)
20 V
83 W
3W (Ta), 83W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-18.7 A
18.7A (Ta)
20 V
81.1 W
81.1W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
50 A
50A (Tc)
20 V
79 W
79W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-5.5 A
55A (Tc)
20 V
125 W
3.75W (Ta), 125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
IPB057N06NATMA1 PDF数据手册
- 数据表 :
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