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IPB081N06L3GATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
In a Pack of 25, N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB081N06L3GATMA1
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
50A Tc
4.5V 10V
1
79W Tc
37 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
79W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.1m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 34μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4900pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 4.5V
上升时间
26ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
50A
阈值电压
1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200A
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IPB081N06L3GATMA1
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
50 A
50A (Tc)
1.7 V
20 V
79 W
79W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
15A (Ta), 80A (Tc)
4 V
20 V
175 W
175W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-18.7 A
18.7A (Ta)
-3 V
20 V
81.1 W
81.1W (Ta)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
45 A
17A (Ta), 45A (Tc)
-
20 V
83 W
3W (Ta), 83W (Tc)
IPB081N06L3GATMA1 PDF数据手册
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