规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-PowerPair™
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
16A 35A
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
MATTE TIN
最大功率耗散
48W
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SIZ730
引脚数量
6
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN SOURCE
功率 - 最大
27W 48W
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.3m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
830pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24nC @ 10V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间（典型值）
10 ns
连续放电电流(ID)
35A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0053Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100A
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级（Eas）
45 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
750μm
长度
6mm
宽度
3.73mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SIZ730DT-T1-GE3
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6-PowerPair?
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35 A
16A, 35A
1.1 V
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Surface Mount
8-PowerWDFN
30V
40 A
-
1.2 V
20 V
100 W
SIZ730DT-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :